APEC: Kuasa SiC dan alatan kuasa awan termaju

Keupayaan carian telah dipertingkatkan, dan terdapat menu gaya karusel yang membolehkan anda memilih peranti dan papan yang serasi, firma itu berkata: "Jurutera boleh mengecilkan pilihan untuk komponen dan penyelesaian sistem yang berdaya maju dan mempunyai keyakinan dalam prestasi sistem sebelum memulakan carian perkakasan dan melengkapkan reka bentuk mereka "

Demonstrasi di APEC termasuk demonstrator silikon karbida (SiC) tiga fasa PFC (pembetulan faktor kuasa) 11 kV (100 kHz) yang dibina di sekitar Mosfet Onh ​​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~80 mOhm, TO247) dan Pemandu pintu NCP51705 - yang termasuk pam cas untuk mencipta bias negatif yang mematikan SiC Mosfet.

Di atas lantai eFuse

Turut dipamerkan ialah eFuse, "penderia pasif pintar" untuk automasi industri, penyelesaian USB-PD (penghantaran kuasa) berketumpatan tinggi, gelung maklum balas pengapit aktif dan modul kuasa pemandu motor.

Untuk mempromosikan Strata, kertas kerja akan dibentangkan dengan tajuk bercita-cita tinggi "Memuaskan Senarai Kehendak Pereka Di Bawah Tekanan dengan Semua Alat yang Anda Perlukan dalam Satu Kotak Alat" (19 Mac, 1:30 p.m., Bilik 303AB).

Satu lagi pembentangan: “Ciri-ciri, kebolehpercayaan dan output dalam moden